深圳市金嘉锐电子有限公司

供应：晶体管 SCH2080KE

型号/规格:SCH2080KE 品牌/商标:ROHM（罗姆） 封装形式:TO-247-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 制造商:ROHM 封装:TO-247-3 产品种类:MOSFET 通道数量:1 Channel

供应： 达林顿晶体管 ESM5045DV

型号/规格:ESM5045DV 品牌/商标:ST（意法半导体） 环保类别:无铅环保型 产品种类:达林顿晶体管 制造商:ST 集电极—发射极电压 VCEO:600 V 直流电集电极电流:60 A

供应：MOSFET NTD4808NT4G

型号/规格:NTD4808NT4G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装

供应MOSFET DMG2302UK-7

型号/规格:DMG2302UK-7 品牌/商标:Diodes 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 通道数量:1 Channel 晶体管极性:N-Channel

供应：晶体管 TK31A60W,S4VX

型号/规格:TK31A60W,S4VX 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装

供应：IGBT 晶体管 MGP15N40CL

型号/规格:MGP15N40CL 品牌/商标:ON（安森美） 环保类别:无铅环保型 制造商:ON Semiconductor 产品种类:IGBT 晶体管 封装:TO-220-3 配置:Single

供应：分立半导体模块 BSM180D12P3C007

型号/规格:BSM180D12P3C007 品牌/商标:ROHM（罗姆） 环保类别:无铅环保型 产品种类:分立半导体模块 类型:SiC Power Module Vgs - 栅极-源极电压:- 4 V, + 22 V 工作温度:- 40 C

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Wolfspeed / Cree CGH40025F

型号/规格:CGH40025F 品牌/商标:Cree, Inc 环保类别:无铅环保型 制造商:Cree, Inc 工作温度:- 40 C 工作温度:+ 150 C 工作频率:2 GHz to 6 GHz

供应晶体管 > MOSFET >MTMC8E2A0LBF

型号/规格:MTMC8E2A0LBF 品牌/商标:PANASONIC（松下） 封装形式:SMD 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 产品种类:MOSFET 制造商:Panasonic 封装:WMini-8 Vds-漏源极击穿电压:40 V

供应FF300R17KE3

型号/规格:FF300R17KE3 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 环保类别:无铅环保型 产品种类:IGBT 模块 制造商:Infineon 集电极—射极饱和电压:2.45 V 在25 C的连续集电极电流:404 A

供应FS100R17KE3

型号/规格:FS100R17KE3 品牌/商标:Infineon 环保类别:无铅环保型 制造商:Infineon 产品种类:IGBT 模块 集电极—发射极电压 VCEO:1700 V 在25 C的连续集电极电流:145 A

供应ESM5045DV

型号/规格:ESM5045DV 品牌/商标:ST（意法半导体） 环保类别:无铅环保型

供应 FNB41560B2IGBT 模块

型号/规格:FNB41560B2 品牌/商标:Fairchild Semiconductor 环保类别:普通型

供应BSM25GD120DN2IGBT模块

型号/规格:BSM25GD120DN2IGBT 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 环保类别:无铅环保型

供应 BSM100GB60DLCIGBT 模块

型号/规格:BSM100GB60DLCIGBT 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 环保类别:普通型

供应 IRGS30B60KTRRPIGBT模块

型号/规格:IRGS30B60KTRRP 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 环保类别:普通型