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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 2.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 1.4 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 660 mW
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 1.7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.7 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 4.2 ns
典型接通延迟时间: 0.6 ns
单位重量: 8 mg