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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
深圳市金嘉锐电子有限公司 销售：TK31A60W,S4VX
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 30.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V to 3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 86 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK31A60W
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 8.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 32 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 165 ns
典型接通延迟时间: 70 ns
单位重量: 6 g
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 30.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V to 3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 86 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK31A60W
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 8.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 32 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 165 ns
典型接通延迟时间: 70 ns
单位重量: 6 g