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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
IGBT 模块 1200V 25A FL BRIDGE
产品:
IGBT Silicon Modules
配置:
Hex
集电极—发射极电压 VCEO:
1200 V
集电极—射极饱和电压:
2.5 V
在25 C的连续集电极电流:
35 A
栅极—射极漏泄电流:
180 nA
功率耗散:
200 W
工作温度:
+ 150 C
封装 / 箱体:
EconoPACK 2A
栅极/发射极电压:
+/- 20 V
工作温度:
- 40 C
安装风格:
Screw