深圳市金嘉锐电子有限公司

深圳市中杰盛科技有限公司优势供应：SCH2080KE

制造商: ROHM Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: SiC

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel, SBD

Vds-漏源极击穿电压: 1200 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 22 V

Qg-栅极电荷: 106 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 262 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

系列: BM14270MUV-LB  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: ROHM Semiconductor  

正向跨导 - 值: 3.7 S  

下降时间: 28 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 33 ns  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 70 ns  

典型接通延迟时间: 37 ns  

零件号别名: SCH2080KEC