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深圳市金嘉锐电子有限公司
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询价
产品信息
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 82 A
Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 106.7 nC
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
Pd-功率耗散: 200 W
工厂包装数量: 50
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 82 A
Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 106.7 nC
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
Pd-功率耗散: 200 W
工厂包装数量: 50
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm