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深圳市金嘉锐电子有限公司
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询价
产品信息
产品种类: MOSFET
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-268-2
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 75 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 30 ns
Pd-功率耗散: 300 W
上升时间: 60 ns
系列: IXTT75N10
工厂包装数量: 30
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 4.500 g
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-268-2
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 75 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 30 ns
Pd-功率耗散: 300 W
上升时间: 60 ns
系列: IXTT75N10
工厂包装数量: 30
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 4.500 g