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深圳市金嘉锐电子有限公司
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询价
产品信息
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Id-连续漏极电流: 1 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 Ohms
配置: Single
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-2
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 值: 0.75 S
工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
系列: FQD1N80
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 15 ns
单位重量: 260.370 mg
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Id-连续漏极电流: 1 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 Ohms
配置: Single
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-2
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 值: 0.75 S
工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
系列: FQD1N80
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 15 ns
单位重量: 260.370 mg