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深圳市金嘉锐电子有限公司
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晶体管 IGBT 模块 Infineon FS450R12KE3
发布时间： 2018/3/24 21:36:02 | 319 次阅读
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 600 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2.1 kW
封装 / 箱体: EconoPACK+
工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 162 mm
宽度: 150 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Screw
栅极/发射极电压: +/- 20 V
工厂包装数量: 4