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深圳市金嘉锐电子有限公司
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晶体管  MOSFET  Toshiba TK72E12N1,S1X
发布时间： 2018/3/24 21:33:38 | 346 次阅读
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Id-连续漏极电流: 179 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V to 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 130 nC
配置: Single
Pd-功率耗散: 255 W
通道模式: Enhancement
高度: 15.1 mm
长度: 10.16 mm
系列: TK72E12N1
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.45 mm
商标: Toshiba
下降时间: 37 ns
上升时间: 33 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 120 ns
典型接通延迟时间: 64 ns
单位重量: 6 g