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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
深圳市中杰盛科技有限公司优势供应：SCH2080KE
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel, SBD
Vds-漏源极击穿电压: 1200 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 22 V
Qg-栅极电荷: 106 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 262 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
系列: BM14270MUV-LB
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
正向跨导 - 值: 3.7 S
下降时间: 28 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 33 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
零件号别名: SCH2080KEC