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深圳市金嘉锐电子有限公司
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询价相关产品
产品信息
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 54.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 77 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 288 nC
工作温度: + 150 C
技术: Si
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 值: -
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 500 W
上升时间: 21 ns
系列: XPW55N80
典型关闭延迟时间: 200 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
零件号别名: SP SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3XK
单位重量: 38 g
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 54.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 77 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 288 nC
工作温度: + 150 C
技术: Si
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 值: -
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 500 W
上升时间: 21 ns
系列: XPW55N80
典型关闭延迟时间: 200 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
零件号别名: SP SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3XK
单位重量: 38 g