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深圳市金嘉锐电子有限公司
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询价相关产品
产品信息
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息
商标: NXP / Freescale
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
技术: Si
增益: 13 dB
输出功率: 8 W
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PLD-1.5
封装: Reel
工作温度: - 65 C
工作频率: 520 MHz
Pd-功率耗散: 62.5 W
系列: MRF1518NT1
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
单位重量: 280 mg
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息
商标: NXP / Freescale
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
技术: Si
增益: 13 dB
输出功率: 8 W
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PLD-1.5
封装: Reel
工作温度: - 65 C
工作频率: 520 MHz
Pd-功率耗散: 62.5 W
系列: MRF1518NT1
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
单位重量: 280 mg