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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: + 175 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 10 ns
高度: 4.57 mm
长度: 10.31 mm
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 150 W
上升时间: 66 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 1000
商标名: OptiMOS
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度: 9.45 mm
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: + 175 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 10 ns
高度: 4.57 mm
长度: 10.31 mm
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 150 W
上升时间: 66 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 1000
商标名: OptiMOS
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度: 9.45 mm