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深圳市金嘉锐电子有限公司
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询价相关产品
产品信息
造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息
商标: Freescale Semiconductor
晶体管类型: MOSFET Power
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
晶体管极性: N-Channel
频率: 520 MHz
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
增益: 13 dB
输出功率: 8 W
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PLD-1.5
封装: Reel
工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 62.5 W
产品类型: RF MOSFET Power
系列: MRF1518NT1
工厂包装数量: 1000
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
单位重量: 0.009877 oz
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息
商标: Freescale Semiconductor
晶体管类型: MOSFET Power
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
晶体管极性: N-Channel
频率: 520 MHz
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
增益: 13 dB
输出功率: 8 W
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PLD-1.5
封装: Reel
工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 62.5 W
产品类型: RF MOSFET Power
系列: MRF1518NT1
工厂包装数量: 1000
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
单位重量: 0.009877 oz