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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
标准包装 1,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 FET - 单
系列 CoolMOS™
其它名称 IPB65R150CFDATMA1TR
SP
规格
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22.4A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 150 毫欧 @ 9.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.5V @ 900μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 86nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 2340pF @ 100V
功率 - 值 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 FET - 单
系列 CoolMOS™
其它名称 IPB65R150CFDATMA1TR
SP
规格
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22.4A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 150 毫欧 @ 9.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.5V @ 900μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 86nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 2340pF @ 100V
功率 - 值 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB