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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
Id-连续漏极电流: 2.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 57 mOhms
配置: Dual
Qg-栅极电荷: 1.7 nC
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 3.7 nS
工作温度: - 55 C
上升时间: 9.9 nS
系列: BSL806
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 12 nS
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
Id-连续漏极电流: 2.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 57 mOhms
配置: Dual
Qg-栅极电荷: 1.7 nC
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 3.7 nS
工作温度: - 55 C
上升时间: 9.9 nS
系列: BSL806
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 12 nS