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深圳市金嘉锐电子有限公司
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晶体管 MOSFET 》SQM40022EM_GE3
发布时间： 2022/7/20 17:33:55 | 210 次阅读
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 150 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.63 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 106 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 26 ns
正向跨导 - 小值: 143 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 194 ns
系列: SQ
包装数量：800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
单位重量: 1.600 g