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深圳市金嘉锐电子有限公司
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供应：BLF6G20LS-110
发布时间： 2019/6/17 8:56:25 | 388 次阅读
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 29 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
工作温度: - 65 C
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT502B
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.72 mm
长度: 20.7 mm
类型: RF Power MOSFET
宽度: 9.91 mm
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 13 V