- IC型号
深圳市金嘉锐电子有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核身份证：已认证经营模式：生产制造商所在地区：广东 深圳企业网站：
http://www.yqjmmic.com
收藏本公司 人气：777813
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：12年
- 张小姐-朱先生
- 电话：0755-22929859
- 手机：13530907567
- 阿库IM：
- 地址：深圳市振兴路华康大厦2栋211
- 传真：0755-83238620
- E-mail：2462752125@qq.com
供应：SIR622DP-T1-GE3
发布时间： 2019/3/5 11:24:19 | 433 次阅读
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 51.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 17.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 104 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: ThunderFET, PowerPAK
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.04 mm
长度: 6.15 mm
系列: SIR
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 值: 33 S
CNHTS: 8541290000
下降时间: 6 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
单位重量: 506.600 mg