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深圳市金嘉锐电子有限公司
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供应：射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 NXP / Freescale AFT05MS003NT1
发布时间： 2018/6/15 16:26:37 | 476 次阅读
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 30 V
技术: Si
增益: 20.8 dB
输出功率: 3.2 W
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 1.8 MHz to 941 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 30.5 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
单位重量: 50.800 mg