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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
工作温度: + 175 C
技术: Si
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 1.2 ns
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 107 W
上升时间: 3.7 ns
系列: IPB17N25
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 7.5 ns
典型接通延迟时间: 4.4 ns
单位重量: 4 g
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
工作温度: + 175 C
技术: Si
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 1.2 ns
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 107 W
上升时间: 3.7 ns
系列: IPB17N25
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 7.5 ns
典型接通延迟时间: 4.4 ns
单位重量: 4 g