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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 15.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V to 3.7 V
Qg-栅极电荷: 38 nC
工作温度: + 150 C
技术: Si
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 5 ns
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 130 W
上升时间: 25 ns
系列: DTMOSIV
商标名: DTMOSIV
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
单位重量: 38 g
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 15.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V to 3.7 V
Qg-栅极电荷: 38 nC
工作温度: + 150 C
技术: Si
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 5 ns
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 130 W
上升时间: 25 ns
系列: DTMOSIV
商标名: DTMOSIV
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
单位重量: 38 g