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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
产品种类: IGBT 晶体管
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 125 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247AD-3
工作温度: + 175 C
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极连续电流 Ic: 65 A
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 25
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 125 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247AD-3
工作温度: + 175 C
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极连续电流 Ic: 65 A
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 25
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g